Crucible in ceramica SiC

U crogiolu in ceramica SiC serve cum'è un contenitore criticu è un vasu di reazione in prucessi cum'è a crescita di cristalli SiC è GaN, a deposizione epitassiale, a diffusione è a ricottura à alta temperatura, induve a purità, a stabilità è l'uniformità di a temperatura determinanu direttamente u rendimentu di e cialde è a qualità di i cristalli.

Caratteristiche Materiali

● Cumposizione di u materiale: SiC sinterizatu ultrapuru o CVD-SiC (≥99.9%)

● Densità è Microstruttura: Struttura cumpletamente densa, à grana fina è micca porosa per una impermeabilità superiore à i gasi

● Stabilità termica: Prestazioni eccellenti finu à 2000 °C in atmosfere di gas inerti o reattivi

● Cunduttività termica: 120–200 W/m·K, chì garantisce una uniformità di temperatura superiore

● Resistenza à a currusione: Stabilità eccezziunale in l'idrogenu, u cloru è i gas di prucessu à basa di alogeni

● Finitura di a superficia: Lucidata à specchiu è pulita à plasma per minimizà a generazione di particelle

Applicazioni chjave in a fabricazione di semiconduttori

U crogiolu ceramicu SiC ghjoca un rolu vitale in parechje tappe di fabricazione di semiconduttori, cumprese:

1. Crescita di Cristalli è Epitaxia

Aduprati in i sistemi di crescita epitassiale PVT (Physical Vapor Transport) è CVD, i crogioli SiC furniscenu un contenitore stabile è non reattivu per i materiali di partenza è i cristalli in crescita.

A so alta purezza è u so coefficientu di dilatazione termica currispundente minimizanu a contaminazione è u stress, assicurendu a furmazione di cristalli senza difetti per i substrati di SiC, GaN è Ga₂O₃.

2. Diffusione è ricottura à alta temperatura

In i prucessi di trattamentu termicu, diffusione è ossidazione, i crogioli di SiC mantenenu a so forma è l'integrità chimica sottu cicli termichi estremi, impedendu u degassamentu è u rilasciu di particelle chì ponu compromettere a qualità di i wafer.

3. Sinterizzazione di materiali è trasfurmazione di polveri

I crogioli in SiC sò ancu ideali per a sinterizzazione di polveri di qualità semiconduttore, offrendu inerzia chimica à alta temperatura è stabilità dimensionale in cundizioni di vuoto o atmosfera cuntrullata.

I vantaghji di Semixlab

À Semixlab Semiconductor, furnimu più cà solu cumpunenti - furnimu suluzioni d'ingegneria cumplete per risponde à e esigenze rigorose di a fabricazione di semiconduttori.

1. Disignu persunalizatu

● Geometria di u crogiolu, spessore è cunfigurazione di l'entrata di gas persunalizati.

● Compatibile cù i principali sistemi di crescita di cristalli è CVD (LPE, PVT, AIXTRON, Veeco, ecc.).

2. Cunsultazione tecnica

● Scienziati di i materiali è ingegneri di prucessu interni cù più di 20 anni di sperienza in l'industria.

● Supportu per a cuncepzione termica, a simulazione di u flussu di gasu è a currispundenza di prucessu.

3. Assicurazione di qualità prima di a consegna

● Ogni crogiolu hè sottumessu à un'ispezione di precisione dimensionale, una prova di perdite d'eliu è un'analisi di rugosità superficiale.

● Rivestimentu protettivu CVD opzionale è servizii di lucidatura à specchiu per una durata di vita è una pulizia migliorate.

U crogiolu ceramicu Semixlab SiC stabilisce un novu puntu di riferimentu per a stabilità termica, a purità è a durabilità chimica in a trasfurmazione avanzata di semiconduttori. Cù opzioni di cuncepimentu persunalizate, cunsultazione tecnica è ispezione pre-spedizione rigorosa, Semixlab assicura chì ogni pruduttu risponde à i requisiti esigenti di l'applicazioni di semiconduttori à alta temperatura è alta purità. Aspittemu cun impazienza e vostre altre richieste.