Anellu di bordu in SiC per a trasfurmazione di wafer

Prucessu mudernu di fabricazione di anelli di bordu in SiC

A fabricazione di l'anelli di bordu SiC hè un prucessu cumplessu è precisu. Prima, a polvere di materia prima SiC hè rigorosamente purificata per ottene una purezza elevata (> 99.999%). Sta polvere hè poi furmata aduprendu una pressa isostatica o a secco. Dopu, hè sinterizzata à temperature trà 2100 ° C è 2400 ° C per furmà un corpu ceramicu densu. In seguitu, hè finita di precisione aduprendu tecniche di molatura è lucidatura di diamanti per ottene una rugosità superficiale estremamente bassa (Ra < 0.1 µm). Infine, hè sottumessa à una pulizia rigorosa è à un'ispezione di particelle per assicurà chì risponde à i standard di pulizia di a fabricazione di semiconduttori.

Usi principali di l'anellu di punta SiC

L'anellu di bordu di SiC ghjoca un rolu vitale in e tappe critiche di fabricazione di wafer cum'è l'incisione è a deposizione. A so funzione primaria hè di prutege u bordu di u wafer, assicurà l'uniformità di u prucessu in tutta a superficia di u wafer è allargà a durata di vita di i cumpunenti interni di a camera.

Eccu l'applicazioni chjave:

Prutezzione di u bordu di a cialda: Durante a incisione à plasma, i bordi di e cialde micca prutette ponu sperimentà una velocità di incisione diversa da a zona cintrali. Questu porta à parametri fora di specifica per i chip à u bordu di a cialda (die di bordu), riducendu significativamente u rendimentu generale. L'anellu di bordu di SiC agisce cum'è una barriera fisica, supprimendu efficacemente l'effettu di plasma di bordu per assicurà un trattamentu uniforme da u centru à u bordu di a cialda.

Cuntrollu di a distribuzione di u plasma: In i prucessi basati nantu à u plasma, a densità è a distribuzione di u plasma anu un impattu direttu nantu à u risultatu finale. A presenza di l'anellu di bordu di SiC mudifica e cundizioni di cunfine di u plasma in a camera di reazione, purtendu à una distribuzione di u plasma più uniforme nantu à a superficia di a cialda. Questu hè criticu per i prucessi chì richiedenu una uniformità estremamente alta, cum'è a incisione in trincea profonda o l'incisione dielettrica multistrato.

Prevenzione di a contaminazione è longevità di e parti: I sottoprodotti è i depositi si ponu furmà à u bordu di a cialda durante certi prucessi. S'elli ùn sò micca cuntrullati, sti materiali ponu cuntaminà i muri di a camera, u mandrino elettrostaticu è altri cumpunenti costosi. L'anellu di bordu di SiC cattura efficacemente è impedisce a diffusione di sti contaminanti, pruteggendu e parti preziose di a camera è riducendu a frequenza di e pulizie di a camera. Questu, à u so tornu, aumenta u tempu di funziunamentu di l'equipaggiu.

Cum'è un consumabile ideale per l'incisione à plasma è l'equipaggiu di deposizione di film sottili, u nostru Anellu di Bordu SiC aiuta à eliminà l'effetti di u bordu di u wafer, assicurendu una incisione è una deposizione uniformi da u centru à u bordu. È prutegge i cumpunenti costosi di a camera interna, riducendu l'accumulu di deposizione è allungendu u tempu di funziunamentu di l'equipaggiu. Intantu, dissipa in modu efficiente u calore, mantenendu a cunsistenza di a temperatura di u wafer durante i prucessi d'alta putenza.

Sceglie l'anellu Semixlab SiC Edge significa sceglie un rendimentu di chip più altu, prucessi di fabricazione più stabili è costi di manutenzione di l'attrezzatura più bassi. Aspittemu sinceramente di furniscevi prudutti persunalizati è supportu tecnicu. Accolgimu e vostre altre richieste.