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Rivestimentu CVD Carbure di Siliciu (SiC).

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Riscaldatore di grafite rivestito di SiC per MOCVD
Riscaldatore di grafite rivestito di SiC per MOCVD

Riscaldatore di grafite rivestito di SiC per MOCVD


U riscaldatore MOCVD di grafite rivestita di SiC di Semixlab hè un supportu riscaldatu d'altu rendimentu cuncipitu per i prucessi di fabricazione di semiconduttori chì usa a deposizione chimica di vapore (CVD) per furmà un rivestimentu uniforme è densu di carburo di siliciu (SiC) nantu à a superficia di un substratu di grafite di purezza ultra-alta.

Description

Dettalji di i Prodotti

U riscaldatore MOCVD di grafite rivestita di SiC combina l'eccellente conducibilità termica di a grafite cù l'alta temperatura è a resistenza à a corrosione di i rivestimenti di SiC, è hè largamente utilizatu in l'apparecchiature di deposizione chimica di vapore metallo-organicu (MOCVD) per assicurà a stabilità è l'alta purezza in i prucessi di crescita di l'epitassia di e wafer.

Caratteristiche di u produttu di u riscaldatore MOCVD in grafite rivestita di SiC

1. Purezza ultra-alta è stabilità chimica

Purezza ≥99.99995%: U nostru Riscaldatore di Grafite hè preparatu sottu clorurazione à alta temperatura per mezu di u prucessu CVD, chì evita efficacemente a contaminazione da impurità metalliche è risponde à a dumanda di ambienti ultra-puliti in a fabricazione di semiconduttori.

Corrosione anti-chimica: A durezza densa è alta di u rivestimentu SiC (durezza Vickers di 2500-2800) pò resiste à l'erosione di acidi, alcali, sali è solventi organici, chì prolonga a vita di serviziu di l'equipaggiu in l'ambiente di gas corrosivu.

2. Excellent resistenza à a temperatura alta

Stabilità à alta temperatura: pò sustene finu à 3000 °C in atmosfera inerte, funziunamentu stabile finu à 2200 °C in ambiente di vuoto, è 1600-1700 °C in ambiente ossidante, chì hè adattatu per e cundizioni estreme di a camera di reazione MOCVD.

Coefficiente di Dilatazione Termica Bassu (4.5 x 10-⁶K-¹): Questa caratteristica di u Riscaldatore di Grafite MOCVD riduce efficacemente a crepatura o u sbucciamentu di u rivestimentu per via di i cambiamenti di temperatura, assicurendu l'integrità strutturale sottu cicli termichi à longu andà.

3. Prestazioni di gestione termica ottimizzate

Alta Cunduttività Termica (200-300 W/mK): L'alta cunduttività termica di u Riscaldatore MOCVD in Grafite determina chì u pruduttu pò trasferisce u calore rapidamente è uniformemente per ottene una distribuzione consistente di a temperatura di a superficia di a cialda (±1°C), migliorandu cusì efficacemente l'uniformità di u stratu epitassiale.

Cuncepimentu di u Campu di Flussu di Gas Laminare: Dopu à l'iterazione è l'aghjurnamentu continuu di a tecnulugia, a nostra levigatezza di a superficia di u Riscaldatore MOCVD (Ra ≤ 0.8 μm) è l'ottimisazione di a geometria assicuranu una distribuzione uniforme di i gas reattivi è riducenu a non uniformità di a deposizione causata da a turbulenza.

quaternu di carichi

Cunfrontu di i Parametri Tecnichi è Vantaghji

Carattirìstichi Riscaldatori rivestiti di SiC Semixlab Riscaldatori di grafite cunvinziunali
Temperatura massima di funziunamentu (inerta) 3000 ° C 2500 ° C
Purezza Chimica ≥99.99995% ≤99.99
Aducazione termale 300 W / mK 120-150 W/mK
Apertura di coperazione 415 MPa (flessione à 4 punti) 100-200 MPa
Vita tipica (cicli) > 500 ciculi 100-200 ciculi
Advantage competitiva

Perchè Semixlab ?

Personalizazione: Semixlab s'impegna à furnisce prudutti è servizii tecnichi persunalizati à i nostri clienti. Supportemu a persunalizazione di dimensioni non standard (finu à 360 mm di diametru) è spessori di rivestimentu (20-500 μm) per risponde à una vasta gamma di bisogni di l'equipaggiamenti.

Certificazione Globale: U nostru Riscaldatore di Grafite Rivestitu di SiC hè cunforme à SEMI, certificatu ISO 9001, è i nostri prudutti sò esportati principalmente in Europa è in i Stati Uniti, è ancu in Giappone è in Corea di u Sud, cù un vantaghju significativu in termini di prezzu / prestazioni.

Sinergia tecnica: Semixlab hà mantinutu dapoi longu una stretta cuuperazione cù e principali istituzioni di ricerca in Cina, utilizendu tecnulugie di rivestimentu brevettate (cum'è u prucessu SiC³ di CGT Carbon) per ottimizà e densità di rivestimentu è a resistenza à i shock termichi.

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