Mezzaluna LPE SiC EPI

U LPE SiC EPI Halfmoon hè un cumpunente di precisione specificamente cuncipitu per i sistemi di crescita epitassiale di SiC, in particulare i reattori di epitaxia in fase liquida (LPE) è ibridi CVD/LPE utilizati in i prucessi di deposizione di SiC à alta temperatura.

A so struttura di grafite rivestita di TaC CVD assicura una resistenza eccezziunale à a degradazione termica è chimica, mentre a so geometria à mezza luna ghjoca un rolu decisivu in a stabilizazione di i campi di flussu termichi è di gas in a camera di reazione.

Applicazioni in l'epitassia di SiC

Quì sottu hè una ripartizione dettagliata di i so roli funziunali in parechji aspetti critichi di u prucessu di epitaxia SiC:

1. Uniformità è cuntrollu di u campu termicu

Una distribuzione termica uniforme hè fundamentale per ottene strati epitassiali di SiC di alta qualità. In l'ambiente di u reattore LPE, e temperature ponu superà i 1600-1800 °C, cù gradienti chì influenzanu direttamente u spessore di u stratu epitassiale, a cuncentrazione di doping è a furmazione di difetti. L'EPI Halfmoon serve cum'è un cumpunente di equilibriu termicu chì:

● Riflette è ridistribuisce u calore radiante in tutta a zona di a cialda, minimizendu i gradienti di temperatura verticali è radiali;

● Migliora a simmetria termica in u reattore, stabilizendu l'interfaccia trà u sustratu è a fonte di siliciu-carbonu fusu;

● Impedisce u surriscaldamentu lucale è assicura chì u fronte di crescita di u cristallu di SiC prugressa à un ritmu cuntrullatu.

2. Distribuzione di u flussu di gas è ottimizazione di l'ambiente reattivu

A struttura à mezza luna hè specificamente cuncipita per modulà a velocità è a direzzione di u flussu di gas in u reattore.

In l'epitassia di SiC, i gasi precursori cum'è SiH₄, C₃H₈ è H₂ devenu mantene un flussu laminare è una distribuzione uniforme per impedisce tassi di reazione lucalizati è a furmazione di particelle. L'EPI Halfmoon cuntribuisce à questu per via di:

● Guidà a circulazione di gas longu percorsi di flussu ottimizzati, impediscendu e zone di stagnazione è assicurendu una consegna omogenea di precursori;

● Prumove u trasportu uniforme di massa di e spezie di Si è C à a superficia di a cialda, riducendu i microdifetti è u raggruppamentu di passi;

● Migliurà l'evacuazione di i gasi di scaricu per impedisce reazzioni secundarie o accumulazione di contaminazione nantu à i muri di a camera.

3. Prutezzione chimica è cuntrollu di a purità di a superficia

Durante i cicli di crescita epitassiale prolungati, i cumpunenti di grafite senza prutezzione sò suscettibili à l'erosione chimica, a diffusione di carbone è a contaminazione in fase gassosa. U rivestimentu CVD TaC nantu à Halfmoon furnisce:

● Una barriera chimicamente inerte contr'à i gas aggressivi cum'è H₂, SiH₄, è l'agenti incisori à basa di Cl₂;

● Forte soppressione di a contaminazione in fase di vapore di carbone, assicurendu chì nisuna spezia di carbone indesiderata si diffonde in u stratu epitassiale;

● Migliurazione di a pulizia di a camera è intervalli di manutenzione estesi.

4. Cumpatibilità è Integrazione

L'LPE SiC EPI Halfmoon di Semixlab hè cumpletamente persunalizabile per integrà si cù:

● Reattori verticali LPE, induve funziona cum'è riflettore superiore o laterale per l'equilibriu termicu;

● Camere CVD-LPE orizzontali o ibride, induve agisce cum'è stabilizzatore di flussu di gas o insertu di schermatura;

● Sistemi OEM di i principali produttori di apparecchiature di epitassia cum'è Aixtron, LPE è Veeco.

Ogni Halfmoon hè machinata cù precisione per assicurà una precisione dimensionale di ± 0.05 mm, garantendu una installazione senza intoppi è un disturbu di flussu minimu in ambienti à altu vuotu o ricchi d'idrogenu.

In a crescita epitassiale di SiC, ogni gradu di deviazione di temperatura è ogni squilibriu sottile di u flussu di gas pò influenzà a qualità di u wafer è u rendimentu di u dispositivu. Semixlab LPE SiC EPI Halfmoon affronta queste sfide cù una cumbinazione scientificamente ottimizzata di ingegneria di precisione di grafite è tecnulugia di rivestimentu CVD TaC, chì offre un cuntrollu senza paragone nantu à u calore, u gasu è a purità - i trè fundamenti di l'epitassia di SiC ad alte prestazioni. Benvenuti à cuntattateci per ulteriori cunsultazioni tecniche è cuncepimentu persunalizatu.